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Canal N 80 V 29A (Ta), 268A (Tc) 3W (Ta), 263W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8
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Canal N 80 V 29A (Ta), 268A (Tc) 3W (Ta), 263W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8
ISC009N06NM6ATMA1

ISC016N08NM8ATMA1

Numéro de produit DigiKey
448-ISC016N08NM8ATMA1TR-ND - Bande et bobine
448-ISC016N08NM8ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
448-ISC016N08NM8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
ISC016N08NM8ATMA1
Description
ISC016N08NM8ATMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
99 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 80 V 29A (Ta), 268A (Tc) 3W (Ta), 263W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™ 8
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
29A (Ta), 268A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
8V, 15V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,54mohms à 50A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 111µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7200 pF @ 40 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 263W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TDSON-8
Boîtier
8-PowerTDFN
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En stock: 397
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
17,39000 $7,39 $
104,87200 $48,72 $
1003,44130 $344,13 $
5002,86364 $1 431,82 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
5 0002,33958 $11 697,90 $
Conditionnement standard du fabricant
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