Name: ISC009N03LF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC009N03LF2SATMA1TR-ND
Price: 1.82 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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ISC009N03LF2SATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISC009N03LF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISC009N03LF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISC009N03LF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISC009N03LF2SATMA1
Description	ISC009N03LF2SATMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 43A (Ta), 341A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-62
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISC009N03LF2SATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	StrongIRFET™ 2
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	43A (Ta), 341A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,9mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,35V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6400 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 188W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-62
Boîtier	8-PowerTDFN

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