Canal N 20 V 100 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface TO-252AA (DPAK)
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IRLR6225TRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRLR6225TRPBFTR-ND - Bande et bobine
IRLR6225TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT)
IRLR6225TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRLR6225TRPBF
Description
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 20 V 100 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRLR6225TRPBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4mohms à 21A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,1V à 50µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3770 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Température de fonctionnement
-50°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
IRLR6225
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En stock: 24
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Ce produit n'est plus fabriqué et ne sera plus stocké une fois le stock épuisé. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
12,28000 $2,28 $
101,44200 $14,42 $
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 0000,62823 $1 256,46 $
4 0000,58095 $2 323,80 $
6 0000,55686 $3 341,16 $
10 0000,53336 $5 333,60 $
Conditionnement standard du fabricant
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