Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 3.43 CAD
Availability: InStock

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IRLR3636TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRLR3636TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLR3636TRPBF
Description	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 50 A (Tc) 143W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRLR3636TRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,8mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	49 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3779 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	143W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IRLR3636