Name: IRLR3410TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3410TRLPBFTR-ND
Price: 2.1 CAD
Availability: InStock

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IRLR3410TRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLR3410TRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRLR3410TRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLR3410TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLR3410TRLPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 17 A (Tc) 79W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	105mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	34 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	800 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	79W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IRLR3410