Name: IRFS3107TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS3107TRLPBFTR-ND
Price: 8.01 CAD
Availability: InStock

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IRFS3107TRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFS3107TRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRFS3107TRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFS3107TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFS3107TRLPBF
Description	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 195 A (Tc) 370W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFS3107TRLPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 240 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9370 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 370W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 75 V	Boîtier fournisseur D2PAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFS3107
Rds On (max.) à Id, Vgs 3mohms à 140A, 10V