Name: IRFP4668PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFP4668PBF-ND
Price: 3.50558 CAD
Availability: OutOfStock

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IRFP4668PBF
Numéro de produit DigiKey	IRFP4668PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFP4668PBF
Description	MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 130 A (Tc) 520W (Tc) Trou traversant TO-247AC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFP4668PBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	130 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,7mohms à 81A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	241 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10720 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	520W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247AC
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IRFP4668

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
400	3,50558 $	1 402,23 $

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