Name: IRF6775MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6775MTRPBFTR-ND
Price: 4 CAD
Availability: OutOfStock

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IRF6775MTRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF6775MTRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF6775MTRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF6775MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF6775MTRPBF
Description	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 4,9 A (Ta), 28 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ MZ
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF6775MTRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 100µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1411 pF @ 25 V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Dissipation de puissance (max.) 2,8W (Ta), 89W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Boîtier fournisseur DIRECTFET™ MZ
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,9 A (Ta), 28 A (Tc)	Boîtier DirectFET™ Isometric MZ
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRF6775
Rds On (max.) à Id, Vgs 56mohms à 5,6A, 10V