Canal N 25 V 15 A (Ta), 59 A (Tc) 2,2W (Ta), 34W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ SQ
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IRF6622TRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRF6622TRPBFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF6622TRPBF
Description
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Référence client
Description détaillée
Canal N 25 V 15 A (Ta), 59 A (Tc) 2,2W (Ta), 34W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ SQ
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
15 A (Ta), 59 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,3mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,35V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1450 pF @ 13 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,2W (Ta), 34W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
DIRECTFET™ SQ
Boîtier
DirectFET™ Isometric SQ
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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