IRF1407STRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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IRF1407STRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF1407STRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRF1407STRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF1407STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF1407STRLPBF
Description	MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 100 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 250 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5600 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 200W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 75 V	Boîtier fournisseur D2PAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRF1407
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,8mohms à 78A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (12)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IRF3808STRLPBF	Infineon Technologies	1 184	IRF3808STRLPBFCT-ND	6,58000 $	Recommandation fabricant
IPB80N08S207ATMA1	Infineon Technologies	957	448-IPB80N08S207ATMA1CT-ND	9,47000 $	Similaire
BUK766R0-60E,118	Nexperia USA Inc.	1 036	1727-BUK766R0-60E,118CT-ND	4,97000 $	Similaire
BUK9609-75A,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-7189-1-ND	2,28143 $	Similaire
FDB060AN08A0	onsemi	2 372	FDB060AN08A0CT-ND	7,81000 $	Similaire

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