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IRF1010EZSPBF

Numéro de produit DigiKey
IRF1010EZSPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF1010EZSPBF
Description
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 75 A (Tc) 140W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
75 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
8,5mohms à 51A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2810 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
140W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
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