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Canal N 60 V 75 A (Tc) 140W (Tc) Montage en surface D2PAK
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF1010EZSPBF

Numéro de produit DigiKey
IRF1010EZSPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF1010EZSPBF
Description
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 75 A (Tc) 140W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
75 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
8,5mohms à 51A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2810 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
140W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
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