Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 14-PDIP
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IR2112-1PBF

Numéro de produit DigiKey
IR2112-1PBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IR2112-1PBF
Description
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
Référence client
Description détaillée
Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 14-PDIP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Programmable DigiKey
Non vérifié
Configuration
Haut potentiel, bas potentiel
Type de canal
Indépendant
Nombre de circuits d'attaque
2
Type de grille
IGBT, MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
6V, 9,5V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
250mA, 500mA
Type d'entrée
Sans inversion
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
80ns, 40ns
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
14-DIP (0,300po, 7,62mm), 13 sorties
Boîtier fournisseur
14-PDIP
Numéro de produit de base
IR2112
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Obsolète
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