Name: IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND
Price: 6.19 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

Canal N 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1

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IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Description	TRENCH <= 40V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 0,5mohms à 20A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 432µA
Série OptiMOS™ 7	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±16V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6100 pF @ 12 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 150W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 25 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 54A (Ta), 422A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-WHTFN-9-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 9-PowerWDFN