Name: IQE220N15NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE220N15NM5CGATMA1TR-ND
Price: 5.1 CAD
Availability: InStock

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IQE220N15NM5CGATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE220N15NM5CGATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE220N15NM5CGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE220N15NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE220N15NM5CGATMA1
Description	TRENCH >=100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 44 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montage en surface PG-TTFN-9-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE220N15NM5CGATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,6V à 46µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18.3 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 75 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Boîtier fournisseur PG-TTFN-9-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 44 A (Tc)	Boîtier 9-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IQE220N15
Rds On (max.) à Id, Vgs 22mohms à 16A, 10V