Name: IQE036N08NM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE036N08NM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 5.94 CAD
Availability: InStock

Canal N 80 V 31ns/237ns 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1

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IQE036N08NM6CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE036N08NM6CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE036N08NM6CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE036N08NM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE036N08NM6CGSCATMA1
Description	TRENCH 40<-<100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 31ns/237ns 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 3,6mohms à 30A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 4,724po L x 1,575po l x 3,150po H (120,00mm x 40,00mm x 80,00mm)
Série OptiMOS™ 6	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2600 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31ns/237ns	Boîtier fournisseur PG-WHTFN-9-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Boîtier 9-PowerWDFN