Name: IQE031N08LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE031N08LM6CGATMA1TR-ND
Price: 3.9 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IQE031N08LM6CGATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE031N08LM6CGATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE031N08LM6CGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE031N08LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE031N08LM6CGATMA1
Description	TRENCH 40<-<100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 18A (Ta), 127A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PG-TTFN-9-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE031N08LM6CGATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 3,15mohms à 20A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 50,8µA
Série OptiMOS™ 6	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4600 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Ta), 127A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TTFN-9-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 9-PowerTDFN

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 4 030

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®