Name: IQE030N06NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE030N06NM5CGATMA1TR-ND
Price: 5.59 CAD
Availability: InStock

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IQE030N06NM5CGATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE030N06NM5CGATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE030N06NM5CGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE030N06NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE030N06NM5CGATMA1
Description	TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Montage en surface PG-TTFN-9-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE030N06NM5CGATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,3V à 50µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3800 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur PG-TTFN-9-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21A (Ta), 137A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IQE030N
Rds On (max.) à Id, Vgs 3mohms à 20A, 10V