Name: IQE013N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 7.13 CAD
Availability: OutOfStock

Canal N 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1

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IQE013N04LM6CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE013N04LM6CGSCATMA1
Description	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE013N04LM6CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,35mohms à 20A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 51µA
Série OptiMOS™ 6	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3800 pF @ 20 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31A (Ta), 205A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-WHTFN-9-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 9-PowerWDFN