Name: IQE006NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 4.35 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IQE006NE2LM5SCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE006NE2LM5SCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE006NE2LM5SCATMA1
Description	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface PG-WHSON-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE006NE2LM5SCATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	47A (Ta), 310A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,58mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5453 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-WHSON-8-1
Boîtier	8-PowerWDFN