Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 6.16 CAD
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IQE006NE2LM5CGATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE006NE2LM5CGATMA1
Description	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface PG-TTFN-9-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE006NE2LM5CGATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 82.1 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5453 pF @ 12 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 25 V	Boîtier fournisseur PG-TTFN-9-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 41A (Ta), 298A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,65mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base IQE006