Name: IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 7.38 CAD
Availability: InStock

Canal N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-U02

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Description	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-U02
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 0,29mohms à 50A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 1,448mA
Série OptiMOS™ 5	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±16V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 17000 pF @ 12 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 25 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-WHTFN-9-U02
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 9-PowerWDFN