Name: IQD005N04NM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD005N04NM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 6.9 CAD
Availability: OutOfStock

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IQD005N04NM6CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQD005N04NM6CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQD005N04NM6CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQD005N04NM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQD005N04NM6CGSCATMA1
Description	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 57A (Ta), 597A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-U02
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQD005N04NM6CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	57A (Ta), 597A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,49mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 1,449mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	163 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	12000 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 333W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-WHTFN-9-U02
Boîtier	9-PowerWDFN