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IPW65R110CFDFKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPW65R110CFDFKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPW65R110CFDFKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPW65R110CFDFKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,3mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 118 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3240 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 277,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 110mohms à 12,7 A, 10V |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 190 | 448-IPW65R110CFDFKSA2-ND | 10,80000 $ | Équivalent paramétrique |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 360 | FCH110N65F-F155-ND | 14,15000 $ | Similaire |
| FCH150N65F-F155 | onsemi | 262 | FCH150N65F-F155-ND | 12,67000 $ | Similaire |
| SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N65EF-GE3-ND | 13,32000 $ | Similaire |
| STW30N65M5 | STMicroelectronics | 600 | 497-10655-5-ND | 10,43000 $ | Similaire |
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