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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPW65R099C6FKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPW65R099C6FKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPW65R099C6FKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPW65R099C6FKSA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,2mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 127 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2780 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 12,8A, 10V |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STW65N80K5 | STMicroelectronics | 429 | 497-16333-5-ND | 25,06000 $ | Direct |
| FCH077N65F-F085 | onsemi | 1 646 | FCH077N65F-F085-ND | 18,23000 $ | Similaire |
| FCH077N65F-F155 | onsemi | 201 | FCH077N65F-F155-ND | 16,99000 $ | Similaire |
| IXFX48N60P | IXYS | 0 | IXFX48N60P-ND | 19,88117 $ | Similaire |
| IXTH34N65X2 | IXYS | 203 | IXTH34N65X2-ND | 14,03000 $ | Similaire |
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 12,34000 $ | 12,34 $ |
| 30 | 7,12067 $ | 213,62 $ |
| 120 | 5,97533 $ | 717,04 $ |
| 510 | 5,13616 $ | 2 619,44 $ |
| 1 020 | 4,83276 $ | 4 929,42 $ |
