Name: IPW65R065C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R065C7XKSA1-ND
Price: 13 CAD
Availability: InStock

IPW65R065C7XKSA1
cms-digikey-product-number	448-IPW65R065C7XKSA1-ND
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPW65R065C7XKSA1
cms-description	MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
cms-standard-lead-time	17 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 650 V 33 A (Tc) 171W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	IPW65R065C7XKSA1 Modèles

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ C7
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 17,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 850µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3020 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	171W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IPW65R065

IPW65R065C7XKSA1