Name: IPW65R037C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R037C6FKSA1-ND
Price: 24.04 CAD
Availability: OutOfStock

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Canal N 650 V 83,2 A (Tc) 500W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IPW65R037C6FKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPW65R037C6FKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R037C6FKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 83,2 A (Tc) 500W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW65R037C6FKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 3,3mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 330 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ C6	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7240 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 500W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 83,2 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPW65R037
Rds On (max.) à Id, Vgs 37mohms à 33,1A, 10V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IXTH80N65X2	IXYS	115	IXTH80N65X2-ND	28,18000 $	Similaire

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	24,04000 $	24,04 $
30	14,69733 $	440,92 $
120	12,64958 $	1 517,95 $
510	11,60043 $	5 916,22 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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