Canal N 600 V 23,8 A (Tc) 176W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1
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IPW60R160C6FKSA1

Numéro de produit DigiKey
IPW60R160C6FKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPW60R160C6FKSA1
Description
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 23,8 A (Tc) 176W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPW60R160C6FKSA1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 750µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
75 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1660 pF @ 100 V
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Dissipation de puissance (max.)
176W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Boîtier fournisseur
PG-TO247-3-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
160mohms à 11,3A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (13)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPW60R120P7XKSA1Infineon Technologies0448-IPW60R120P7XKSA1-ND3,12025 $Recommandation fabricant
IXFH22N60P3IXYS705IXFH22N60P3-ND13,91000 $Direct
APT34M60BMicrochip Technology0APT34M60B-ND17,68000 $Similaire
FCH165N60Eonsemi93FCH165N60EOS-ND11,23000 $Similaire
FCH170N60onsemi182FCH170N60-ND10,16000 $Similaire
En stock: 13
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Date de dernière disponibilité : 2026-09-30
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
17,61000 $7,61 $
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.