
IPW60R099CPFKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPW60R099CPFKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPW60R099CPFKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 31 A (Tc) 255W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPW60R099CPFKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,2mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2800 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 255W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 18A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| APT30N60BC6 | Microchip Technology | 0 | APT30N60BC6-ND | 8,68050 $ | Similaire |
| FCH104N60F-F085 | onsemi | 411 | FCH104N60F-F085OS-ND | 11,52000 $ | Similaire |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 360 | FCH110N65F-F155-ND | 14,15000 $ | Similaire |
| IXFH34N65X2 | IXYS | 3 809 | 238-IXFH34N65X2-ND | 15,49000 $ | Similaire |
| IXFR64N60Q3 | IXYS | 30 | IXFR64N60Q3-ND | 64,53000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 13,31000 $ | 13,31 $ |
| 30 | 7,73567 $ | 232,07 $ |
| 120 | 6,51067 $ | 781,28 $ |
| 510 | 5,61300 $ | 2 862,63 $ |
| 1 020 | 5,34869 $ | 5 455,66 $ |



