Name: IPW60R099CM8XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R099CM8XKSA1-ND
Price: 7.78 CAD
Availability: InStock

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IPW60R099CM8XKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPW60R099CM8XKSA1-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW60R099CM8XKSA1
Description	IPW60R099CM8XKSA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	31 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 29 A (Tc) 176W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-U06
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW60R099CM8XKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 10,1A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 4,7V à 260µA
Série CoolMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1330 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 176W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-U06
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-247-3

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

IPW60R099CM8XKSA1