Name: IPT60R065S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60R065S7XTMA1TR-ND
Price: 8.09 CAD
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPT60R065S7XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT60R065S7XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT60R065S7XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT60R065S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT60R065S7XTMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 8 A (Tc) 167W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT60R065S7XTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™S7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	12V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 8A, 12V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 490µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	51 nC @ 12 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1932 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-2
Boîtier	8-PowerSFN
Numéro de produit de base	IPT60R065