Name: IPQC60R010S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPQC60R010S7AXTMA1TR-ND
Price: 36.61 CAD
Availability: InStock

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IPQC60R010S7AXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPQC60R010S7AXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPQC60R010S7AXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPQC60R010S7AXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPQC60R010S7AXTMA1
Description	MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	30 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 50 A (Tc) 694W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPQC60R010S7AXTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 3,08mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 318 nC @ 12 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 694W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HDSOP-22
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 12V	Boîtier Module 22-PowerBSOP
Rds On (max.) à Id, Vgs 10mohms à 50A, 12V