IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPN80R900P7ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Infineon Technologies

En stock: 363

Prix unitaire : 2,90000 $

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IPN80R900P7ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPN80R900P7ATMA1
Description	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 6 A (Tc) 7W (Tc) Montage en surface PG-SOT223
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPN80R900P7ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 110µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ P7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 350 pF @ 500 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 7W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Boîtier fournisseur PG-SOT223
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPN80R900
Rds On (max.) à Id, Vgs 900mohms à 2,2A, 10V