


IPN80R1K2P7ATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN80R1K2P7ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPN80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPN80R1K2P7ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 4,5 A (Tc) 6,8W (Tc) Montage en surface PG-SOT223 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPN80R1K2P7ATMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Pas pour les nouvelles conceptions | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 800 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 1,2ohms à 1,7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 80µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 300 pF @ 500 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 6,8W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-SOT223 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,28000 $ | 2,28 $ |
| 10 | 1,43800 $ | 14,38 $ |
| 100 | 0,95540 $ | 95,54 $ |
| 500 | 0,74838 $ | 374,19 $ |
| 1 000 | 0,68177 $ | 681,77 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,59717 $ | 1 791,51 $ |
| 6 000 | 0,55459 $ | 3 327,54 $ |
| 9 000 | 0,53290 $ | 4 796,10 $ |
| 15 000 | 0,53084 $ | 7 962,60 $ |









