



IPI50CN10NGHKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPI50CN10NGHKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPI50CN10NGHKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 20 A (Tc) 44W (Tc) Trou traversant PG-TO262-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 20µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1090 pF @ 50 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 44W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PG-TO262-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 50mohms à 20A, 10V |

