IPI120N08S403AKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPI120N08S403AKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Infineon Technologies

En stock: 3 511

Prix unitaire : 6,04000 $

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IPI120N08S403AKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPI120N08S403AKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPI120N08S403AKSA1
Description	MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 120 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant PG-TO262-3-1
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 167 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11550 pF @ 25 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO262-3-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-262-3 broches longues, I2PAK, TO-262AA
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 100A, 10V	Numéro de produit de base IPI120
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 223µA