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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPI086N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPI086N10N3GXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPI086N10N3GXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant PG-TO262-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPI086N10N3GXKSA1 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 6V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 8,6mohms à 73A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 75µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 55 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 3980 pF @ 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 125W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | PG-TO262-3 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,28000 $ | 3,28 $ |
| 50 | 1,59180 $ | 79,59 $ |
| 100 | 1,42790 $ | 142,79 $ |
| 500 | 1,14032 $ | 570,16 $ |
| 1 000 | 1,04789 $ | 1 047,89 $ |
| 2 000 | 0,97015 $ | 1 940,30 $ |
| 5 000 | 0,92893 $ | 4 644,65 $ |
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