


IPD80R2K8CEATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPD80R2K8CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD80R2K8CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD80R2K8CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD80R2K8CEATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD80R2K8CEATMA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 120µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 290 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 42W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8ohms à 1,1A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics | 3 130 | 497-4102-1-ND | 3,06000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,43000 $ | 2,43 $ |
| 10 | 1,54000 $ | 15,40 $ |
| 100 | 1,02370 $ | 102,37 $ |
| 500 | 0,80226 $ | 401,13 $ |
| 1 000 | 0,73098 $ | 730,98 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,65380 $ | 1 634,50 $ |
| 5 000 | 0,60611 $ | 3 030,55 $ |
| 7 500 | 0,58182 $ | 4 363,65 $ |
| 12 500 | 0,55454 $ | 6 931,75 $ |
| 17 500 | 0,53838 $ | 9 421,65 $ |
| 25 000 | 0,53306 $ | 13 326,50 $ |








