Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 3.2 CAD
Availability: InStock

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IPD80R2K7C3AATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD80R2K7C3AATMA1
Description	MOSFET N-CH TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 2 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD80R2K7C3AATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1.5 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 290 pF @ 100 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 42W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252AA (DPAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,7ohms à 1,2A, 10V	Numéro de produit de base IPD80R2
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 250µA