


IPD80R1K0CEATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD80R1K0CEATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 5,7 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD80R1K0CEATMA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 785 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 83W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 950mohms à 3,6A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 1 975 | TSM60NB900CPROGCT-ND | 3,56000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,88000 $ | 3,88 $ |
| 10 | 2,47500 $ | 24,75 $ |
| 100 | 1,67270 $ | 167,27 $ |
| 500 | 1,32888 $ | 664,44 $ |
| 1 000 | 1,21828 $ | 1 218,28 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,09860 $ | 2 746,50 $ |
| 5 000 | 1,02467 $ | 5 123,35 $ |
| 7 500 | 0,98703 $ | 7 402,72 $ |
| 12 500 | 0,94474 $ | 11 809,25 $ |








