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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPD60R600C6BTMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD60R600C6BTMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD60R600C6BTMA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 7,3 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 200µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20.5 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 440 pF @ 100 V |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Dissipation de puissance (max.) 63W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 2,4A, 10V |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3 617 | IPD60R600C6ATMA1CT-ND | 2,96000 $ | Direct |
| FCD600N60Z | onsemi | 15 045 | FCD600N60ZCT-ND | 4,68000 $ | Direct |
| AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3 873 | 785-1266-1-ND | 4,24000 $ | Similaire |
| FCD850N80Z | onsemi | 17 987 | 488-FCD850N80ZCT-ND | 5,50000 $ | Similaire |
| STD10N60M2 | STMicroelectronics | 3 547 | 497-13937-1-ND | 2,74000 $ | Similaire |
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