
IPD60N10S4L12ATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD60N10S4L12ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-313 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD60N10S4L12ATMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 12mohms à 60A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,1V à 46µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 49 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±16V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 3170 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 94W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-TO252-3-313 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,18000 $ | 3,18 $ |
| 10 | 2,02900 $ | 20,29 $ |
| 100 | 1,37280 $ | 137,28 $ |
| 500 | 1,09136 $ | 545,68 $ |
| 1 000 | 1,03033 $ | 1 030,33 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,90293 $ | 2 257,32 $ |
| 5 000 | 0,84242 $ | 4 212,10 $ |
| 7 500 | 0,84178 $ | 6 313,35 $ |













