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IPD50R500CEBTMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD50R500CEBTMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD50R500CEBTMA1
Description
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 7,6 A (Tc) 57W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
13V
Rds On (max.) à Id, Vgs
500mohms à 2,3A, 13V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
433 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
57W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Boîtier
Numéro de produit de base
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