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Canal N 40 V 50 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
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IPD50N04S309ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD50N04S309ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD50N04S309ATMA1
Description
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 50 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
9mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 28µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1750 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Boîtier
Numéro de produit de base
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Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,91945 $2 298,62 $
5 0000,86090 $4 304,50 $
Conditionnement standard du fabricant

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