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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPD50N03S4L06ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD50N03S4L06ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD50N03S4L06ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 50 A (Tc) 56W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD50N03S4L06ATMA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±16V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2330 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Dissipation de puissance (max.) 56W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,5mohms à 50A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 20µA |
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Ressources supplémentaires
En stock: 2 043
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,16000 $ | 2,16 $ |
| 10 | 1,35200 $ | 13,52 $ |
| 100 | 0,89390 $ | 89,39 $ |
| 500 | 0,69664 $ | 348,32 $ |
| 1 000 | 0,63316 $ | 633,16 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,56442 $ | 1 411,05 $ |
| 5 000 | 0,52193 $ | 2 609,65 $ |
| 7 500 | 0,50029 $ | 3 752,18 $ |
| 12 500 | 0,47598 $ | 5 949,75 $ |
| 17 500 | 0,46159 $ | 8 077,82 $ |
| 25 000 | 0,44778 $ | 11 194,50 $ |
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