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IPD50N03S207ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPD50N03S207ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPD50N03S207ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD50N03S207ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD50N03S207ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD50N03S207ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 50 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD50N03S207ATMA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2000 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Dissipation de puissance (max.) 136W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,3mohms à 50A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 85µA |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | 17 332 | IRLR3114ZTRPBFCT-ND | 3,02000 $ | Similaire |
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | 56 930 | IRLR8726TRPBFCT-ND | 1,49000 $ | Similaire |
| TSM060N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 5 888 | TSM060N03CPROGCT-ND | 2,05000 $ | Similaire |
Obsolète
