Name: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
Price: 1.88 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPC50N04S55R8ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPC50N04S55R8ATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 50 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-33
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPC50N04S55R8ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,8mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,4V à 13µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1090 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	42W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-33
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	IPC50N