Name: IPB95R130PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB95R130PFD7ATMA1TR-ND
Price: 12.64 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPB95R130PFD7ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPB95R130PFD7ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPB95R130PFD7ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB95R130PFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB95R130PFD7ATMA1
Description	HIGH POWER_NEW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 950 V 36,5 A (Tc) 227W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 130mohms à 25,1A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,25mA
Série CoolMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 141 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4170 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 227W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 950 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 36,5 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB