Name: IPB80R290C3AATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80R290C3AATMA2TR-ND
Price: 10.2 CAD
Availability: InStock

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IPB80R290C3AATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPB80R290C3AATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPB80R290C3AATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB80R290C3AATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB80R290C3AATMA2
Description	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 17 A (Tc) 227W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 117 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2300 pF @ 100 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 227W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 290mohms à 11A, 10V	Numéro de produit de base IPB80R
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1mA