Canal N 60 V 80 A (Tc) 79W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
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IPB80N06S407ATMA2

Numéro de produit DigiKey
448-IPB80N06S407ATMA2TR-ND - Bande et bobine
448-IPB80N06S407ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT)
448-IPB80N06S407ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPB80N06S407ATMA2
Description
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
18 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 80 A (Tc) 79W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPB80N06S407ATMA2 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 40µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4500 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
79W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3-2
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB80N
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En stock: 232
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0001,16415 $1 164,15 $
2 0001,07841 $2 156,82 $
3 0001,03474 $3 104,22 $
5 0001,00734 $5 036,70 $
Conditionnement standard du fabricant
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
13,62000 $3,62 $
102,32400 $23,24 $
1001,58330 $158,33 $
5001,26612 $633,06 $
Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
13,99000 $3,99 $
102,55700 $25,57 $
1001,74150 $174,15 $
5001,39274 $696,37 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
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