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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPB80N06S405ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB80N06S405ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB80N06S405ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 80 A (Tc) 107W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 81 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6500 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 107W (Tc) |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,4mohms à 80A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 60µA |
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Substituts (12)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | 166 | 448-IPB80N06S405ATMA2CT-ND | 4,27000 $ | Direct |
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | 1 516 | IRF1405STRLPBFCT-ND | 5,56000 $ | Similaire |
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 4 177 | IRF3205ZSTRLPBFCT-ND | 4,27000 $ | Similaire |
| FDB070AN06A0 | onsemi | 1 570 | FDB070AN06A0CT-ND | 7,18000 $ | Similaire |
| FDB5800 | onsemi | 4 309 | FDB5800CT-ND | 6,64000 $ | Similaire |
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